报告人:裴轶博士(苏州能讯高能半导体有限公司)
报告题目:氮化镓射频半导体材料与器件
报告时间:2024年3月31日(星期一)14:00
报告地点:独墅湖校区606楼6210
报告摘要:
氮化镓作为宽禁带半导体,具有高击穿电场、高异质结迁移率、高电子饱和速度、高温稳定性等优异的材料特性,基于此实现的高电子迁移率晶体管(hemt)具有高频、高效、高功率密度的优异性能,在射频器件和电力电子器件应用领域有突出的优势。本报告将介绍氮化镓半导体材料的基本物理特性以及hemt电子器件的机理。
个人简介:
裴轶,苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁,正高级工程师。2004年北京大学本科毕业,2009年获加州大学圣巴巴拉分校博士学位。国家重大人才工程-科技创新领军人才,获江苏五四青年奖章、电子学会科技进步二等奖等。国家第三代半导体技术创新中心技术专家委员会委员,第三代半导体联盟标准委员会委员,semi china gan工作组组长。ieee高级会员,中国电子学会高级会员/青年科学家俱乐部会员,中国电源学会元器件专业委员会委员,苏州大学产业教授,北京大学/中国科学技术大学/西交利物浦大学研究生校外导师。研究兴趣包含氮化镓微波和毫米波器件、氮化镓功率器件及应用、氮化镓材料、工艺、可靠性和非线性模型等。承担和参与多项科技部、工信部、发改委重要核心技术攻关项目,发表和共同发表了100余篇期刊和会议论文,累计申请专利150余项。
联系人:文震 教授