报告人：裴轶 博士（苏州能讯高能半导体有限公司）
报告题目：氮化镓射频芯片应用及技术发展
报告时间：2024年4月7日（星期一）14:00
报告地点：独墅湖校区606楼6210
报告摘要：
氮化镓凭借着优异的材料特性，在器件特性上如发射功率、效率、带宽、工作温度等具有明显优势，可以有效降低器件尺寸和提升能源效率，正逐渐取代砷化镓phemt和硅的ldmos在基站、射频能源等市场，在ka-band及以下逐渐成为射频半导体功放的首选。本报告介绍氮化镓射频芯片的应用市场、技术优势以及下一代技术进展。
个人简介：
裴轶，苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁，正高级工程师。2004年北京大学本科毕业，2009年获加州大学圣巴巴拉分校博士学位。国家重大人才工程-科技创新领军人才，获江苏五四青年奖章、电子学会科技进步二等奖等。国家第三代半导体技术创新中心技术专家委员会委员，第三代半导体联盟标准委员会委员，semi china gan工作组组长。ieee高级会员，中国电子学会高级会员/青年科学家俱乐部会员，中国电源学会元器件专业委员会委员，苏州大学产业教授，北京大学/中国科学技术大学/西交利物浦大学研究生校外导师。研究兴趣包含氮化镓微波和毫米波器件、氮化镓功率器件及应用、氮化镓材料、工艺、可靠性和非线性模型等。承担和参与多项科技部、工信部、发改委重要核心技术攻关项目，发表和共同发表了100余篇期刊和会议论文，累计申请专利150余项。
联系人：文震 教授